IT之家 1 月 5 日音问，好意思国劳伦斯利弗莫尔国度践诺室（LLNL）正在研发一种基于铥元素的拍瓦（petawatt）级激光本领，该本领有望取代现时极紫外光刻（EUV）器具中使用的二氧化碳激光器，并将光源遵守扶助约十倍。这一坑害可能为新一代“特出 EUV”的光刻系统铺平说念路，从而以更快的速率和更低的能耗制造芯片。 现时，EUV 光刻系统的能耗问题备受热心。以低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV 光刻系统为例，其功耗永别高达 1,170 千瓦和 1,400 千瓦。
IT之家 1 月 5 日音问，好意思国劳伦斯利弗莫尔国度践诺室（LLNL）正在研发一种基于铥元素的拍瓦（petawatt）级激光本领，该本领有望取代现时极紫外光刻（EUV）器具中使用的二氧化碳激光器，并将光源遵守扶助约十倍。这一坑害可能为新一代“特出 EUV”的光刻系统铺平说念路，从而以更快的速率和更低的能耗制造芯片。
现时，EUV 光刻系统的能耗问题备受热心。以低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV 光刻系统为例，其功耗永别高达 1,170 千瓦和 1,400 千瓦。这种高能耗主要源于 EUV 系统的责任旨趣：高能激光脉冲以每秒数万次的频率挥发锡滴（50 万摄氏度），以造成等离子体并辐射 13.5 纳米波长的光。这还是由不仅需要渊博的激光基础程序和冷却系统，还需要在真空环境中进行以幸免 EUV 光被空气接纳。此外，EUV 器具中的先进反射镜只可反射部分 EUV 光，因此需要更苍劲的激光来提高产能。
IT之家留意到，LLNL 主导的“大口径铥激光”（BAT）本领旨在处分上述问题。与波长约为 10 微米的二氧化碳激光器不同，BAT 激光器的责任波长为 2 微米，表面上大约提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到 EUV 光的蜕变遵守。此外，BAT 系统选拔二极管泵浦固态本领，相较于气体二氧化碳激光器，具有更高的全体电遵守和更好的热管奢睿力。
起头，LLNL 的盘问团队打算将这种紧凑且高交流率的 BAT 激光器与 EUV 光源系统长入，测试其在 2 微米波长下与锡滴的相互作用恶果。LLNL 激光物理学家布伦丹 里根（Brendan Reagan）暗意：“畴前五年中，咱们已经完成了表面等离子体模拟和办法考据践诺，为这一技俩奠定了基础。咱们的责任已经在 EUV 光刻领域产生了要紧影响，当今咱们对下一步的盘问充满期待。”
研究词，将 BAT 本领诈欺于半导体分娩仍需克服紧要基础程序矫正的挑战。现时的 EUV 系统经过数十年才得以教育，因此 BAT 本领的本色诈欺可能需要较永劫辰。
据行业分析公司 TechInsights 展望，到 2030 年开云体育，半导体制造厂的年耗电量将达到 54,000 吉瓦（GW），高出新加坡或希腊的年用电量。若是下一代超数值孔径（Hyper-NA）EUV 光刻本领插足市集，能耗问题可能进一步加重。因此，行业对更高效、更节能的 EUV 机器本领的需求将抓续增长，而 LLNL 的 BAT 激光本领无疑为这一主见提供了新的可能性。
